渊谋远略/半导体业加速自主化 增强韧性\袁 渊

　　图：中国半导体行业已进入“战略攻坚期”，在庞大的市场规模和国产化率提高下，有力突破美国的技术封锁。

　　半导体作为现代工业的“粮食”，既是中美科技博弈的核心战场，也是全球产业链重构的关键枢纽。本届亚太经济合作会议（APEC）峰会后，中美贸易呈现出“有限缓和与精准封锁并存”的新特征，既为中国半导体行业带来关税调整的短期喘息，也加剧了技术封锁的长期压力。

　　数据显示，中国半导体市场规模已占全球34%，2024年销售额达1.35万亿元（人民币，下同），但高端芯片自给率不足20%，核心设备与材料国产化率普遍低于30%。

　　中美关税争端缓和并非全面放松。峰会后，美国保留了针对汽车、钢铝制品的“232关税”措施，要求“出口豁免需在美国境内组装”，试图逼迫制造业回流本土。这种“选择性微调”策略，本质是美国在“经济利益”与“战略遏制”间的平衡：既通过部分关税减免缓解国内通胀与企业压力，又通过关键领域关税保留谈判筹码。

　　更严峻的冲击来自供应链封锁。美国计划扩大出口管制黑名单，使得中芯国际、长江存储等企业面临“设备断供”风险。譬如，长江存储128层3D NAND扩产计划依赖的东京电子刻蚀机，因美日协同管制，交付周期从6个月延长至12个月，直接导致其2026年产能目标（每月10万片）被迫下调20%。设备短缺还引发连锁反应：国产设备虽加速替代，但验证周期通常需2至3年，应急导入导致部分晶圆厂良率下降3至5个百分点，生产成本显著上升。

　　技术封锁倒逼改革

　　压力倒逼改革，封锁催生突破。在政策端，国家大基金三期3440亿元注资将于2025年第四季度落地，其中60%投向设备、材料等“卡脖子”环节；在地方层面，长三角、粤港澳大湾区同步设立千亿级半导体专项基金，形成“国家＋地方”的资本支持体系。

　　在市场端，国产替代进入“量价齐升”阶段。2025年上半年，国产刻蚀机在成熟制程（28纳米及以上）的市占率已经从2024年的25%提升至35%，中微公司的CCP刻蚀机在长江存储5纳米产线导入率突破20%；材料领域，安集科技的抛光液、沪硅产业的12吋硅片在中芯国际的采购占比分别达30%、25%，较2024年提升10个百分点以上。这种替代并非“低水平重复”，而是技术迭代驱动的高质量替代──北方华创的14纳米PVD设备已进入中芯国际验证阶段，性能指标接近国际主流水平。

　　终端需求的“本土优先”策略进一步打开市场空间。2025年，比亚迪、蔚来等新能源车企车规级芯片国产化率从2024年的15%升至30%，华为鸿蒙生态下的物联网芯片采购量中，国产芯片占比达45%。这种“需求拉动供给”的良性循环，为半导体企业提供了宝贵的量产验证机会。

　　积极提高国产化率

　　须承认的是，核心技术突破需要坚持“单点突破与体系构建并重”。在设备领域，实施“光刻机突围计划”：依托上海微电子，联合中国科学院光电所攻关DUV多重曝光技术，2027年前实现28纳米制程DUV设备量产；同时布局EUV关键技术，重点突破光源、光学镜头等核心部件，力争2030年前完成EUV原型机研发。对于刻蚀机、薄膜沉积设备等“优势领域”，支持中微公司、北方华创扩大14纳米设备市场份额，2028年前实现成熟制程设备国产化率超70%。

　　在制造与设计端，采取“先进与成熟并举”策略：中芯国际、华虹半导体聚焦14纳米良率提升与成本优化，2026年前实现14纳米产能翻倍；同时鼓励企业在功率半导体、MEMS传感器等特色工艺形成差异化优势，2027年前车规级功率芯片国产化率突破50%。设计领域，支持华为海思、紫光展锐攻关AI芯片、高性能计算芯片，2026年国产AI芯片算力密度达到国际主流水平的80%以上。

　　创新体系建设需强化产学研协同。建立“国家半导体研究院＋企业联合实验室”模式：依托清华大学、复旦大学建设半导体材料与器件国家实验室，聚焦底层技术研发；推动中芯国际与中国科学院微电子所共建14纳米工艺联合实验室，加速技术产业化。完善知识产权保护机制，设立半导体专利池，降低中小企业专利使用成本。

　　产业链升级的核心是构建“强链补链”机制。建立“产业链龙头牵引＋中小企业配套”的协同模式：由中芯国际、长江存储等龙头企业梳理“卡脖子”清单，向设备、材料企业开放验证需求与技术标准；通过“联合研发＋优先采购”绑定上下游，例如中芯国际承诺对通过验证的国产设备给予30%的采购倾斜。

　　针对关键“断点”，实施“专项攻坚行动”：EDA领域，支持华大九天、广立微联合开发全流程设计工具，2028年前实现28纳米全流程EDA国产化；材料领域，推动沪硅产业12吋硅良率提升至90%以上，南大光电实现高端光刻胶量产；零部件领域，重点突破射频电源、精密运动台等，2027年前国产设备零部件自给率超60%。

　　避免重复建设需强化顶层设计。由工信部牵头建立半导体产能监测与预警机制，对成熟制程产能实施“备案制管理”，引导资本流向设备、材料等薄弱环节。依托长三角、粤港澳大湾区产业集群，推动区域内产能共享与资源整合，例如上海临港与合肥长鑫共建存储芯片产能调配平台，提高产能利用率。

　　政策支持需要从“普惠式”转向“精准化”。在财政方面，扩大大基金三期投资规模，设立“半导体设备专项贷款”，给予企业3%的贷款贴息；税收方面，对半导体设备企业实行“研发费用加计扣除175%”政策，对国产设备采购给予15%的税收返还。优化市场环境，实施“国产半导体产品优先采购目录”，要求政府部门、国有企业采购中国产芯片占比不低于30%。

　　扩大国内市场需求需激活终端应用。推动“芯片─终端”协同创新：支持新能源汽车企业与比亚迪半导体联合开发车规级芯片，智能家电企业与紫光展锐合作研发物联网芯片，形成“需求拉动供给”的良性循环。培育新兴应用场景，在工业互联网、边缘计算等领域推广国产芯片，创造新增量市场。

　　加强国际规则话语权，积极参与APEC、世界贸易组织（WTO）等多边框架下的半导体贸易规则制定，推动“技术标准非歧视性”原则纳入国际协定。依托“一带一路”倡议，与东南亚国家共建半导体封装测试基地，规避贸易壁垒。

　　人才培养内外并举

　　人才培养需“校企联动、内外并举”。在高校层面，优化半导体专业课程体系，将实践教学占比提升至30%，与企业共建100个实训基地；职业教育层面，聚焦设备操作、封装测试等技能型人才，培养每年输送10万名合格技工。在国际引入人才方面，实施“半导体顶尖人才计划”，给予海外人才税收减免、科研经费支持等优惠，吸引全球高端人才来华创新创业。

　　2025年APEC峰会后，中美贸易关系呈现“关税有限缓和、科技封锁升级、规则博弈加剧”的新特征，既给中国半导体行业带来成本上升、供应链波动的短期冲击，也催生了国产替代加速、产业链韧性提升的长期机遇。当前，中国半导体行业已进入“战略攻坚期”，1.8万亿元的市场规模、3440亿元的大基金支持、35%的成熟制程设备国产化率，构成了突破封锁的坚实基础，但先进制程滞后、高端设备短缺、人才不足等瓶颈仍需突破。

　　展望2025至2030年，中国半导体行业将呈现三大趋势：一是技术自主化加速，2027年前实现14纳米制程稳定量产，2030年前在EUV光刻机、全流程EDA等“卡脖子”环节实现局部突破；二是产业链韧性增强，成熟制程设备与材料国产化率分别突破70%、50%，形成“设计─制造─设备”协同生态；三是国际地位提升，依托3.5万亿元的市场规模（2030年预测），成为全球半导体产业链“不可替代的重要一极”。

　　（作者为外资投资基金董事总经理）