深耕七载，美国AI新锐Kepler Computing亮出杀手锏：绕开EUV，全新内存明年量产

当前AI产业最头疼的“内存墙”难题，或许即将迎来破局者。一家名为Kepler Computing的美国初创企业，在默默耕耘了七年之后，终于高调亮剑，宣称最快明年就能将一种比HBM更强大的全新内存推向市场，实现量产。

这家公司正式结束了此前的低调隐身状态，通过开设X官方账号对外公布其重磅产品。据Kepler Computing介绍，他们即将推出的是一款前沿级内存，核心亮点在于：即便不使用EUV光刻设备，其每瓦带宽也能逼近SRAM水平，而存储容量更是达到SRAM和HBM内存的十倍以上。

为了支撑这一雄心壮志，他们已成功募集到4.68亿美元资金，并自建了专用晶圆厂。按规划，内存样品将在今年亮相，2027年正式进入量产阶段，随后在2028年于美国本土扩大生产规模。

业内猜测，这款所谓的新内存大概率属于某种3D RAM架构，但具体技术细节目前仍秘而不宣。为了打消外界对其“圈钱”的疑虑，Kepler Computing特别强调了团队背景：他们曾共同主导了行业最早的3D芯片堆叠技术之一，领导并拓展了第七代DRAM内存及多项逻辑设计，累计量产芯片达数十亿颗，还打造了全球首个商用物理综合工具与技术，堪称逻辑芯片设计领域的基石。此外，他们还攻克了铁电材料的长期难题，发明了超越CMOS技术的逻辑器件。

看到这种刻意营造神秘、低调却又充满格调的宣传文案，第一反应就是：这公司创始人该不会又来自某个南亚大国吧？果不其然，翻阅公司页面上的创始人团队介绍，确实如此。

当然，团队中也不乏其他族裔的成员，白人、黑人、亚裔一应俱全。从履历看，个个都是半导体领域的技术大牛，多数人动辄自诩为某项技术的开创者或发明人，但具体是在哪家公司做出这些成就，却鲜少提及。

就Kepler Computing的芯片产品而言，基本可以判定为某种3D内存，通过芯片堆叠实现超高密度与性能，同时避开昂贵的EUV工艺门槛，得以低成本生产。

不过，3D内存技术本身并不算新鲜，十几年前就曾以各种“革命性产品”的名义被反复宣传。但宣传容易，真正的难关在于如何实现大规模量产。而该公司声称仅凭4.68亿美元融资就能自建晶圆厂，实在令人费解——这点资金，恐怕连找先进工艺代工厂流片生产都未必够用。